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HiPIMS金屬填充工藝——納米孔洞超填充&Cu vs Co
采用HiPIMS技術(shù)結(jié)合偏壓，Cu離子分?jǐn)?shù)約50%，可實(shí)現(xiàn)納米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向發(fā)散無法填充；Co雖放電功率更高，但離子到達(dá)基片分?jǐn)?shù)僅34%，填充效果遠(yuǎn)遜于Cu。再濺射與再沉積是超填充的關(guān)鍵機(jī)理
短時(shí)多脈沖HiPIMS技術(shù)&低偏壓、低應(yīng)力的DLC薄膜
DOMS（短時(shí)多脈沖HiPIMS技術(shù)）的18個(gè)連續(xù)短振蕩顯著減少了離子回吸，并利用脈沖間殘留等離子體促進(jìn)再點(diǎn)燃，使到達(dá)基底的碳離子流密度提高至4倍，從而實(shí)現(xiàn)離子輔助沉積。
